برق, مهندسی 798 بازدید

آیا تاکنون چیزی راجع به رایانه‌ای به نام «انیاک» (ENIAC) در دهه 1940 شنیده‌اید؟ این رایانه تقریباً با طول و جرم سه چهار اتوبوس دو طبقه و حاوی 18000 کلید الکترونیکی وزوز کننده معروف به لوله‌های خلأ بود. با وجود عظیم‌الجثه بودن، این رایانه هزاران برابر قدرت کمتری نسبت به یک لپ‌تاپ مدرن (دستگاهی تقریباً 100 برابر کوچکتر) داشت. اگرچه روند تاریخی تغییر محاسبات چیزی شبیه جادو به نظر می‌رسد (فشرده شدن هرچه بیشتر توان در فضای کم و کمتر)، آنچه این امر را ممکن ساخت، اختراع «مدار مجتمع» (Integrated Circuit) یا آی سی (IC) در سال 1958 بود. یکپارچه‌سازی روشی عالی برای قرار دادن صدها، هزاران، میلیون‌ها یا حتی میلیاردها قطعه الکترونیکی بر روی تراشه‌های کوچک سیلیکون است که کوچک‌تر از ناخن ما هستند. در ادامه، نگاهی دقیق‌تر به آی سی و نحوه کار آن می‌اندازیم.

آی سی یا مدار مجتمع چیست؟

اگر یک تلویزیون یا رادیو را باز کنید، مشاهده خواهید کرد که درون آن یک «برد مدار چاپی» (Printed Circuit Board) یا PCB وجود دارد؛ چیزی شبیه یک نقشه خیابان الکتریکی با اجزای الکترونیکی کوچک (مانند مقاومت‌ها و خازن‌ها) به جای ساختمان‌ها و مس چاپ شده برای اتصال که آن‌ها را مانند خیابان‌های فلزی مینیاتوری به هم متصل می‌کند. صفحات مدار در لوازم کوچکی مانند همین تلویزیون کارایی دارند، اما اگر سعی کنید از همان روش برای ساخت یک دستگاه الکترونیکی پیچیده مانند کامپیوتر استفاده کنید، سریعاً به مشکل بر خواهید خورد.

برد مدار چاپی

حتی ساده‌ترین کامپیوتر برای ذخیره یک بایت (کاراکتر) اطلاعات به هشت سوئیچ الکترونیکی نیاز دارد. بنابراین اگر می‌خواهید یک کامپیوتر با حافظه کافی برای ذخیره این پاراگرافی که می‌خوانید بسازید، تقریباً با 750 کاراکتر ضرب در 8 یا حدود 6000 سوئیچ مواجه هستید؛ تنها برای یک پاراگراف! اگر سوئیچ‌هایی مانند آنچه در انیاک بود (لوله‌های خلأ تقریباً به اندازه انگشت شست یک فرد بزرگسال) تهیه کنید، با یک ماشین بزرگ و تشنه توان روبه‌رو خواهید شد که برای ادامه کارش به یک نیروگاه کوچک برق مختص خود نیاز دارد.

وقتی سه فیزیکدان آمریکایی ترانزیستور را در سال 1947 اختراع کردند، اوضاع تا حدودی بهبود یافت. ترانزیستورها کسری از اندازه لوله‌های خلأ و رله‌ها (کلیدهای الکترومغناطیسی که از اواسط دهه 1940 جایگزین لوله‌های خلأ شده بودند) بودند، انرژی بسیار کمتری مصرف می‌کردند و قابل اطمینان‌تر بودند. اما هنوز مشکل اتصال همه آن ترانزیستورها به یکدیگر در مدارهای پیچیده وجود داشت. حتی پس از اختراع ترانزیستورها، کامپیوترها هنوز هم توده‌های درهم‌پیچیده‌ای از سیم‌ها بودند.

مدارهای مجتمع همه این‌ها را تغییر داد. ایده اصلی آی سی این بود که یک مدار کامل، با تمام اجزای مختلف آن و اتصالات بین آن‌ها، ایجاد و همه چیز به شکل ریزبینانه (میکروسکوپی) روی سطح یک قطعه سیلیکون بازآفرینی شود. این یک ایده کاملاً هوشمندانه بود و امکان ساخت انواع ابزارک‌های «میکروالکترونیک» را از ساعت‌های دیجیتال و ماشین‌حساب‌های جیبی گرفته تا موشک‌ها و فضاپیماها فراهم کرد.

قانون مور

مدارهای مجتمع طی دهه‌های 1960 و 1970 انقلابی در الکترونیک و محاسبات ایجاد کردند. ابتدا مهندسان ده‌ها قطعه را روی تراشه قرار می‌داند که اصطلاحاً «یکپارچه‌سازی کوچک‌مقیاس» (Small-Scale Integration) یا SSI نامیده می‌شد. پس از آن، «یکپارچه‌سازی میان‌مقیاس» (Medium-Scale Integration) یا MSI با قرار دادن صدها قطعه در ناحیه‌ای با همان اندازه دنبال شد. همان‌گونه که قابل پیش‌بینی بود، تقریباً در سال 1970، «یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس» (Large-Scale Integration) یا LSI ادغام هزاران قطعه را به ارمغان آورد. پس از آن، «یکپارچه‌سازی کلان‌مقیاس» (Large-Scale Integration) یا VLSI ده‌ها هزار و «یکپارچه‌سازی بسیار کلان‌مقیاس» (Ultra Large Scale Integration) یا ULSI میلیون‌ها میلیون قطعه را در یک مساحت کوچک جای دادند و البته نکته مهم این بود که اندازه آن‌ها بزرگ نشد.

گوردون مور

در سال 1965، «گوردون مور» (Gordon Moore) از شرکت اینتل، سازنده برجسته تراشه، متوجه شد که تعداد اجزای موجود در تراشه تقریباً هر یک تا دو سال دو برابر می‌شود. قانون مور، از آن زمان تاکنون ادامه دارد. مور 50 سال بعد، در سال 2015، با نیویورک تایمز مصاحبه کرد و حیرت خود را از ادامه روند این قانون نشان داد: «پیش‌بینی اصلی این بود که 10 سال بررسی شود. در این مدت، از حدود 60 قطعه در یک مدار مجتمع تا 60,000، یعنی هزار برابر در طول 10 سال. این شگفت‌انگیز است. چیزی که برای 50 سال در جریان است، واقعاً شگفت‌انگیز است.»

قانون مور

نمودار بالا نشان می‌دهد که تعداد ترانزیستورهای بسته‌بندی شده در ریزتراشه‌ها طی پنج دهه گذشته در هر یک یا دو سال تقریباً دو برابر شده است؛ به عبارت دیگر، به طور تصاعدی رشد کرده است. اگر تعداد ترانزیستورها (محور عمودی) را در برابر سال (محور افقی) برای برخی از ریزتراشه‌های رایج چند دهه اخیر (ستاره‌های زرد) ترسیم کنیم، یک منحنی نمایی به دست خواهد آمد. در عوض، با استفاده از لگاریتم خط مستقیم بالا را خواهیم داشت. توجه داشته باشید که محور عمودی این نمودار لگاریتمی و محور افقی خطی است.

برای آشنایی بیشتر با آی‌سی‌ها، پیشنهاد می‌کنیم به فیلم آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها مراجعه کنید که توسط فرادرس تهیه و لینک آن در ادامه آورده شده است.

  • برای مشاهده فیلم آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها + اینجا کلیک کنید.

نسل‌های مختلف آی سی

از زمان ایجاد آی‌‌سی‌ها، نسل‌های مختلفی از آن‌ها با افزایش تعداد ترانزیستورها و گیت‌های منطقی در هر تراشه وجود داشته است. در زیر فهرستی از هر یک از نسل‌ها و ظرفیت تقریبی هر تراشه آورده شده است:

  • SSI (یکپارچه‌سازی کوچک‌مقیاس): 1 تا 10 ترانزیستور و 1 تا 12 گیت منطقی
  • MSI (یکپارچه‌سازی میان‌مقیاس): 10 تا 500 ترانزیستور و 13 تا 99 گیت منطقی
  • LSI (یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس): 500 تا 20,000 ترانزیستور و 100 تا 9999 گیت منطقی
  • VLSI (یکپارچه‌سازی کلان‌مقیاس‌): 20,000 تا 1,000,000 ترانزیستور و 10,000 تا 99,999 گیت منطقی
  • ULSI (یکپارچه‌سازی در بسیار کلان‌مقیاس): بیش از 1,000,000 ترانزیستور و 100,000 گیت منطقی

آی سی چگونه ساخته می‌شود؟

چگونه می‌توان چیزی مانند حافظه یا تراشه پردازنده را برای کامپیوتر ساخت؟ همه چیز به یک عنصر شیمیایی خام مانند سیلیکون برمی‌گردد که برای داشتن مشخصه‌های الکتریکی مختلف تحت فرایند شیمیایی یا آلایش (ناخالص‌سازی) قرار می‌گیرد.

آلایش نیمه‌هادی‌ها

در آموزش‌های پیشین در مورد دیودها و ترانزیستورها مطالبی را بیان کردیم و با ایده نیمه‌هادی‌ها آشنا شدیم. به طور سنتی، در گذشته تصور می‌شد مواد در دو دسته قرار می‌گیرند: موادی که به راحتی جریان برق از آن‌ها عبور می‌کند (رساناها) و مواد دیگر که جریان را عبور نمی‌دهند (عایق‌ها یا نارساناها). فلزات اغلبِ رساناها را تشکیل می‌دهند، در حالی که غیرفلزات مانند پلاستیک، چوب و شیشه عایق هستند.

اما، ماجرا بسیار پیچیده‌تر از این است؛ به ویژه هنگامی که صحبت از عناصر خاصی در وسط جدول تناوبی باشد (در گروه‌های 14 و 15)، مخصوصاً سیلیکون و ژرمانیم. معمولاً اگر مقادیر کمی ناخالصی به نیمه‌رساناها اضافه کنیم، در فرایندی معروف به «ناخالص‌سازی» یا «آلایش» یا «دوپینگ» (Doping)، می‌توان رفتار این عناصر را شبیه رفتار رساناها کرد.

اگر به سیلیکون آنتیموان اضافه کنیم، به آن الکترون بیشتری نسبت به حالت عادی می‌دهیم و بنابراین، قدرت هدایت الکتریسیته را نیز به آن داده‌ایم. در این حالت سیلیکون آلاییده نوع n داریم. اگر بور را به جای آنتیموان اضافه کنیم و برخی از الکترون‌های سیلیکون را برداشته و حفره‌هایی را به عنوان «الکترون‌های منفی»، اضافه کرده‌ایم که جریان الکتریکی مثبتی را در جهت عکس برقرار می‌کنند. به این نوع سیلیکون نوع p گفته می‌شود. قرار دادن مناطقی از سیلیکون نوع n و p در کنار یکدیگر، پیوندهایی را ایجاد می‌کند که الکترون‌ها در آن به شیوه بسیار جالبی رفتار می‌کنند و به این ترتیب است که ما قطعات الکترونیکی و نیمه‌هادی مانند دیودها، ترانزیستورها و حافظه‌ها را می‌سازیم.

دنیای درون آی سی

روند ساخت یک آی سی با یک کریستال بزرگ سیلیکون، به شکل یک لوله جامد طویل آغاز می‌شود، که به صورت دیسک (به ابعاد یک دیسک فشرده) به صورت ورقه ورقه درآمده و به دیسک‌های نازکی تبدیل می‌شود که «ویفر» (Wafer) نام دارند. ویفرها در نواحی مربعی یا مستطیلی یکسان قرا می‌گیرند که یک تراشه سیلیکون می‌سازند و بعضاً «ریزتراشه» یا «میکروچیپ» (Microchip) نامیده می‌شود.

شکل زیر یک ویفر سیلیکون را نشان می‌دهد.

ویفر سیلیکونی

سپس با آلاییدن نواحی مختلف سطح، هزاران، میلیون‌ها یا میلیاردها قطعه روی هر تراشه ایجاد می‌شود تا آن‌ها را به سیلیکون نوع n یا p تبدیل کند. آلاییدن توسط فرایندهای مختلف انجام می‌شود. در یکی از آن‌ها که به «کندوپاش» یا «اسپاترینگ» (Sputtering) معروف است، یون‌های ماده ناخالص‌کننده مانند گلوله‌های تفنگ به سمت ویفر سیلیکون شلیک می‌شوند.

فرایند دیگری به نام «انباشت بخار» (Vapor Deposition) شامل تبدیل مواد ناخالص‌کننده به گاز و متراکم کردن آن است که در نتیجه آن، اتم‌های ناخالصی یک لایه نازک روی سطح ویفر سیلیکون ایجاد می‌کنند. «رونشست پرتو-مولکولی» (Molecular-beam Epitaxy) شکل دقیق‌تری از انباشت است.

مطمئناً ساخت آی سی که صدها، میلیون‌ها یا میلیاردها قطعه را روی تراشه سیلیکونی به اندازه ناخن تعبیه می‌کند، کمی پیچیده‌تر از آن چیزی است که به نظر می‌رسد. تصور کنید که وقتی در مقیاس میکروسکوپی (یا حتی گاهی اوقات حتی در نانوسکوپی) کار می‌کنید، حتی یک لکه می‌تواند آلودگی ایجاد کند. به همین دلیل، نیمه‌هادی‌ها در محیط آزمایشگاهی بی ‌عیب و نقصی ساخته می‌شوند که «اتاق تمیز» (Clean Room) نامیده می‌شوند. در اتاق تمیز، هوا به دقت فیلتر می‌شود و افراد مجبورند با پوشیدن انواع لباس‌های محافظ از طریق «قفل‌های هوا» یا «هوابندها» عبور و مرور کنند.

شکل زیر کارخانه تولید ویفر اینتل در شهر چندلر ایالت آریزونای آمریکا را نشان می‌دهد.

اتاق تمیز

مراحل ساخت آی سی

اگرچه ساخت تراشه بسیار پیچیده است، اما فقط شش مرحله مجزا دارد (که بعضی از آن‌ها بیش از یک بار تکرار می‌شوند). فرایند ساخت به صورت زیر است:

  1. ساخت ویفر: بلورهای خالص سیلیکونی به استوانه‌های بلند تبدیل می‌شوند، سپس آن‌ها را به ویفرهای نازک تقسیم می‌کنند که در نهایت هر کدام از آن‌ها به تراشه‌های زیادی تقسیم می‌شوند.
  2. پوشش‌دهی (Masking): ویفرها را گرم می‌کنند تا آن‌ها را در دی اکسید سیلیسیم بپوشانند و از نور فرابنفش (آبی) برای افزودن یک لایه محافظ سخت به نام «مقاوم در برابر نور» (Photoresist) استفاده می‌کنند.
  3. زدایش (Etching): برای حذف مقداری از مقاومت در برابر نور، از یک ماده شیمیایی استفاده و نوعی الگو تعیین می‌شود که می‌خواهیم در آن مناطق سیلیکون نوع n و p داشته باشیم.
  4. آلایش (Doping): ویفرهای زدایش‌شده را با گازهای حاوی ناخالصی‌ها گرم می‌کنند تا نواحی سیلیکون نوع n و p ایجاد شوند. ممکن است پوشش‌دهی و زدایش بیشتری انجام شود.
  5. آزمون: اتصالات فلزی از دستگاه آزمون کنترل‌شده با کامپیوتر به پایانه‌های هر تراشه هدایت می‌شوند. هر تراشه‌ای که کار نمی‌کند علامت‌گذاری شده و رد می‌شود.
  6. بسته‌بندی: تمام تراشه‌هایی که خوب کار می‌کنند از ویفر جدا شده و با توده‌های محافظ پلاستیکی بسته‌بندی می‌شوند. اکنون این تراشه‌ها برای استفاده در رایانه‌ها و سایر تجهیزات الکترونیکی آماده‌اند.

مراحل ساخت آی سی

انواع آی سی

مدارهای مجتمع در شکل‌ها و اندازه‌های مختلفی وجود دارند و همه آن‌ها را می‌توان در سه دسته کلی قرار داد که در ادمه آن‌ها را معرفی می‌کنیم.

آی سی دیجیتال

این آی‌سی‌ها در سیستم باینری کار می‌کنند که تمام الکترونیک دیجیتال امروزی را تشکیل می‌دهد و با استفاده از یک سیستم ۰ و ۱ اتفاقات شگفت‌انگیزی را رقم می‌زند. در مدارهای مجتمع دیجیتال، گیت‌های منطقی، ترانزیستورها و غیره به کار برده می‌شوند. همه این‌ها در یک تراشه قرار می‌گیرند تا آی‌سی‌هایی مثل آردوینو را تشکیل دهند.

آی سی آنالوگ

آی سی آنالوگ، برخلاف مشابه دیجیتالی خود، بر اساس کنترل سیگنال‌های آنالوگِ همیشه در حال تغییر کار می‌کند و برخی از اهداف مهم از جمله فیلتر کردن، تقویت و مدولاسیون را برآورده می‌کند.

آی سی سیگنال مخلوط

وقتی هر دو قابلیت دیجیتال و آنالوگ را روی یک تراشه ترکیب کنیم، یک آی سی سیگنال مخلوط را ساخته‌ایم. از این آی‌سی‌ها برای مواردی مانند تنظیم ساعت/زمان و تبدیل دیجیتال به آنالوگ یا آنالوگ به دیجیتال استفاده می‌شود.

در حوزه آی‌سی‌ها دیجیتال، تنوعی از جمله گیت‌های منطقی، تایمر، میکروکنترلرها، ریزپردازنده‌ها ، FPGAها و سنسورها وجود دارد. همه این آی‌سی‌ها در بسته‌هایی حاوی میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در یک مدار واحد عرضه می‌شوند. اما چگونه می‌توانی تفاوت بین هر یک از این بسته‌ها را تشخیص داد؟ در بخش بعدی این موضوع را بررسی می‌کنیم.

بسته‌‌های مختلف آی سی

مغز یک مدار مجتمع به طرز ماهرانه‌ای در زیر یک بسته‌بندی محافظتی پنهان شده است که ما عادت داریم آن بسته را روی صفحه مدار ببینیم. انواع بسته‌بندی‌های آی‌سی‌ها استاندارد بوده و لحیم‌کاری آن‌ها را به برد مدار چاپی یا به برد بورد برای نمونه‌سازی آسان می‌کند. روی هر بسته مجموعه‌ای از پایه‌های نقره‌ای وجود دارد و این امکان را فراهم می‌کند تا آی سی به قسمت‌های دیگر مدار متصل شود. اگرچه آی‌سی‌ها ممکن است بسته‌های مختلفی داشته باشند، در ادامه، معمول‌ترین مواردی را که ممکن است با آن‌ها سر و کار داشته باشید، معرفی می‌کنیم.

آی سی DIP

«بسته دو در خط» (Dual-Inline Package) یا به اختصار DIP بخشی از خانواده آی‌سی‌های سوراخ‌دار است و به راحتی می‌توان این تراشه‌ها را با شکل‌های مستطیلی بلند و دارای ردیف‌هایی از پین‌هاس موازی تشخیص داد. این نوع بسته برای استفاده در برد بوردها مناسب است و می‌تواند از 4 تا 64 پین را شامل شود.

آی سی dip

آی سی SOP

«بسته با پایه‌های تخت کوچک» (Small Outline Packages) یا به اختصار SOP ارتباط نزدیکی با آی سی DIP دارند، با این تفاوت که به جای سوراخ، روی سطح قرا می‌گیرند. از این تراشه‌ها در برد بود استفاده نمی‌شوند و برای نصب آن‌ها به ماشین‌آلات پیشرفته نیز است. آی‌سی‌های SOP در انواع مختلفی وجود دارند، از جمله «بسته‌های با پایه‌های تخت نازک» (Thin Small-Outline Packages) یا TSOP و «بسته‌های با پایه‌ای تخت نازک و منقبض» (Thin-Shrink Small-Outline Packages) یا TSSOP.

آی سی soic

آی سی QFP

«بسته تخت چهار تایی» (Quad Flat Package) یا به اختصار QFP به راحتی و با پین‌های خارج شده از چهار طرف آی سی مشخص می‌شود. این تراشه‌ها می‌توانند از هر طرف بین 8 تا 70 پین داشته باشند. یکی از انواع این آی‌سی‌ها ATmega328 است.

آی سی QFP

 

آی سی BGA

آخرین نوع بسته و همچنین پیشرفته‌ترین آن، «آرایه گویچه مشبک» (Ball Grid Array) یا BGA است. این نوع بسته‌بندی پیچیده شامل گوی‌های کوچک لحیم است که به صورت یک الگوی یا شبکه مرتب شده‌اند. بسته BGA تنها برای پیشرفته‌ترین ریزپردازنده‌ها مانند نمونه‌های «رزبری پای» (Raspberry Pi) استفاده می‌شود.

آی سی BGA

چه کسی آی سی را اختراع کرده است؟

احتمالاً در کتاب‌ها خوانده‌اید که آی سی به طور مشترک توسط «جک کیلبی» (Jack Kilby) و «رابرت نویس» (Robert Noyce) ساخته شده‌اند‌، گویی که این دو نفر با خوشحالی در اختراع درخشان خود همکاری کرده‌‌اند! در حقیقت، کیلبی و نویس به طور مستقل، دقیقاً در زمان مشابهی، به این ایده رسیدند و نبردی جدی را برای حقوق اختراع خود راه انداختند.

چگونه دو نفر می‌توانند دقیقاً همزمان یک چیز را ابداع کنند؟ پاسخ ساده است: آی سی ایده‌ای بود که انتظار وقوع آن وجود داشت. در اواسط دهه 1950، جهان (و به ویژه ارتش) به پتانسیل شگفت‌انگیز رایانه‌های الکترونیکی پی برده بود و برای رؤیاپردازانی مانند کیلبی و نویس آشکار بود که باید روش بهتری برای ساخت و اتصال ترانزیستورها وجود داشته باشد. کیلبی در شرکت «تگزاس اینسترومنتس» (Texas Instruments) مشغول به کار بود که به ایده‌ای رسید و آن را «اصل یکپارچه» (Monolithic Principle) خواند: تلاش برای ساختن تمام قسمت‌های مختلف مدار الکترونیکی بر روی تراشه سیلیکون. در 12 سپتامبر 1958، او اولین مدار مجتمع خام جهان را با استفاده از تراشه ژرمانیوم (عنصری نیمه‌رسانا شبیه سیلیکون) ساخت و تگزاس اینسترومنتس سال بعد برای ثبت اختراع درخواست کرد.

جک کیبلی و رابرت نویس
جک کیبلی (راست) و رابرت نویس (چپ)

در همین حال، رابرت نویس در شرکتی دیگر به نام «فرچایلد سمیکانداکتر» (Fairchild Semiconductor)، با همان درخشش در حال آزمایش مدارهای مینیاتوری خودش بود. فرچایلد سمیکانداکتر توسط گروه کوچکی از کسانی تشکیل شده بود که در اصل برای «ویلیام شاکلی» (William Shockley)، کار می‌کردند. در سال 1959، او برای تولید اولین مدار عملی و یکپارچه، از تعدادی از روش‌های عکاسی و شیمیایی موسوم به «فرایند تخت» (Planar Process) استفاده کرد که به تازگی توسط یکی از همکارانش، «ژان هورنی» (Jean Hoerni) توسعه داده شده بود. فرچایلد نیز سعی کرد اختراع رابرت نویس را ثبت کند.

بین این دو نفر و تگزاس اینسترومنتس و فرچایلد سمیکانداکتر در دهه 1960 در دادگاه‌ها بر سر اینکه چه کسی مدار مجتمع را توسعه داده است، اختلاف زیادی وجود داشت. سرانجام، در سال 1969، شرکت‌ها توافق کردند که این ایده را به اشتراک بگذارند.

مخترعین آی سی

کیلبی و نویس اکنون به درستی به عنوان مخترعان مشترک مهم‌ترین و گسترده‌ترین فناوری توسعه یافته در قرن 20 شناخته می‌شوند. هر دو نفر به تالار مشاهیر مخترع ملی (کیلبی در سال 1982 و نویس سال بعد) معرفی شدند و موفقیت کیلبی نیز با اهدای نصف جایزه نوبل فیزیک در سال 2000 شناخته شد. البته کیلبی در سخنرانی گرفتن جایزه‌اش سخاوتمندانه گفت که نویس مطمئناً در این جایزه سهیم است، اگرچه یک دهه قبل بر اثر حمله قلبی درگذشت.

در حالی که از کیلبی به عنوان یک دانشمند درخشان یاد می‌شود، میراث نویس یک بُعد بیشتر دارد. در سال 1968، او با گوردون مور شرکت اینتل را تأسیس کرد که در سال 1974 برای تولید ریزپردازنده (رایانه تک‌تراشه) همکاری کرد. اینتل در کنار اپل، مایکروسافت، آی‌بی‌ام و سایر شرکت‌های پیشگام، با کمک آوردن رایانه‌های شخصی ارزان به خانه‌ها و محل کار ما کار بزرگی کرد. به لطف نویس و کیلبی و مهندسان درخشان دیگر که بعداً کار خود را انجام دادند، اکنون چیزی در حدود دو میلیارد کامپیوتر در سراسر جهان استفاده می‌شود که بسیاری از آن‌ها در تلفن‌های همراه، دستگاه‌های ناوبری ماهواره‌ای قابل حمل و سایر ابزارهای الکترونیکی گنجانده شده‌اند.

معرفی فیلم آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها

آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها

برای آشنایی بیشتر با آی‌سی‌ها، پیشنهاد می‌کنیم به فیلم آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها مراجعه کنید که توسط فرادرس تهیه و تدوین شده است. مدت این آموزش ویدیویی ۴ ساعت و ۳ دقیقه است و در ۱۰ فصل تدوین شده است.

در درس اول آموزش، با تجهیزات و ابزارآلات مورد نیاز برای تعمیرات آشنا می‌شوید و در درس دوم مقدمات الکترونیک را فرا می‌گیرید. درس سوم درباره آشنایی با دستگاه‌های اندازه‌گیری است و قطعه‌شناسی و نحوه آزمایش سالم بودن قطعه در درس چهارن ارائه شده است. آشنایی با آی‌سی‌های اصلی موبایل و وظایف آن‌ها، مبحث مهم درس پنجم است. نقشه‌خوانی از مهارت‌های لازم برای تعمیرات است که در درس ششم ارائه شده است.

مخابرات و شبکه موبایل نیز از مباحث تخصصی تعمیرات است که به طور کامل در درس هفتم مورد بحث قرار گرفته است. عیب‌یابی و تست جریان‌کشی از مهم‌ترین مباحث این آموزش هستند و به ترتیب در درس‌های هشتم و نهم به طور کامل معرفی شده‌اند. در نهایت، در درس دهم، با اصول و مهارت‌های فنی تعمیرات موبایل و تبلت آشنا خواهید شد.

  • برای مشاهده فیلم آموزش آشنایی با سخت افزار موبایل و تبلت و عیب یابی آن ها + اینجا کلیک کنید.

اگر این مطلب برای شما مفید بوده است، آموزش‌ها و مطالب زیر نیز به شما پیشنهاد می‌شوند:

سید سراج حمیدی (+)

«سید سراج حمیدی» دانش‌آموخته مهندسی برق است. او مدتی در زمینه انرژی‌های تجدیدپذیر فعالیت کرده، و در حال حاضر، آموزش‌های ریاضیات، مهندسی برق و بورس مجله فرادرس را می‌نویسد.

بر اساس رای 4 نفر

آیا این مطلب برای شما مفید بود؟

نظر شما چیست؟

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

برچسب‌ها