ظرفیت خازن — یادگیری با مثال

۲۹۴۶۰ بازدید
آخرین به‌روزرسانی: ۱۶ مهر ۱۴۰۲
زمان مطالعه: ۹ دقیقه
ظرفیت خازن — یادگیری با مثال

در مجموعه مقالات فرادرس با فیزیک خازن و رفتار آن در جریان‌های الکتریکی ثابت و متناوب و نحوه محاسبه ظرفیت معادل در مدارهای سری و موازی آشنا شدید. در این مقاله قصد داریم تا با زبانی ساده و ارائه چندین مثال به بحث محاسبه ظرفیت خازن با توجه به ساختار فیزیکی آن‌ها و استفاده از فرمول پایه‌ای C=QVC=\frac{Q}{V} بپردازیم. با ما در ادامه این مطلب همراه باشید.

997696

ظرفیت خازن

احتمالاً از دوران دبیرستان به یاد دارید که فرمول محاسبه ظرفیت خازن به صورت زیر است:

C=ϵAdC=\epsilon\frac{A}{d}

که در رابطه فوق، AA مساحت صفحات خازن، dd فاصله بین صفحات و ϵ\epsilon ضریب دی‌الکتریک برای محیط بین دو صفحه است. اگر دقت کرده باشید، برای معرفی پارامتر‌های موجود در فرمول فوق، از واژه «صفحه» استفاده کردیم. در واقع این فرمول، تنها برای خازن‌های تخت و ساده که از دو صفحه موازی تشکیل شده‌اند، کاربرد دارد.

خازن تخت
شکل (1): شماتیکی از ساختار یک خازن با صفحات مسطح

آیا تا به حال فکر کرده‌اید که چگونه می‌توان ظرفیت یک خازن با ساختار استوانه‌ای یا کروی را بررسی کرد؟ پاسخ در فرمول ساده C=QVC=\frac{Q}{V} نهفته است. در واقع رابطه بین ظرفیت با مقدار بار ذخیره شده بر روی صفحات (نه لزوماً تخت) و ولتاژ دو سر خازن در بین انواع خازن‌ها برقرار بوده و به وسیله آن می‌توانیم ظرفیت خازن را محاسبه کنیم.

توجه داشته باشید که رابطه ساده C=ϵAdC=\epsilon\frac{A}{d}، خود از رابطه C=QVC=\frac{Q}{V} برای خازن‌هایی با صفحات تخت نتیجه می‌شود. برای استفاده از این فرمول، جهت محاسبه ظرفیت خازنی، تنها نیاز است تا مقدار بار QQ و ولتاژ VV را به دست آوریم. مطابق با این رابطه، واحد سنجش ظرفیت یک خازن، کولن (Coulomb) بر ولت (Volt) بوده که «فاراد» (Farad) نامیده می‌شود (1F=1C1V1F=\frac{1C}{1V}). به دست آوردن QQ معمولاً به کمک قانون گاوس کار راحتی است. در مقاله «قانون گاوس (Gauss Law) و شار الکتریکی — یادگیری با مثال» با مفهوم و مثال‌های متعددی از قانون گاوس آشنا شدید. جهت یادآوری، این قانون به شکل زیر است:

ϵ0E.dA=q\epsilon_{0}\oint E.dA=q
(1)

که در آن EE میدان الکتریکی داخل سطح گاوسی، qq بار محصور شده در سطح گاوسی، dsds دیفرانسیل (جز سطح) و ϵ0\epsilon_{0} گذرذهی الکتریکی خلأ است.

برای محاسبه ولتاژ VV نیز از رابطه انتگرالی آن با میدان الکتریکی EE استفاده می‌کنیم. رابطه مذکور به قرار زیر است:

VfVf=ifE.dxV_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dx
(2)

حال با محاسبه دو مقدار QQ و VV مطابق با گفته‌های فوق و جایگذاری آن‌ها در معادله C=QVC=\frac{Q}{V}، مقدار ظرفیت خازن مد نظر را به دست می‌آوریم. در ادامه این مقاله سعی داریم با ارائه چندین مثال، نحوه محاسبه ظرفیت خازنی را آموزش دهیم.

البته توجه داشته باشید که محاسبه ظرفیت خازن از طریقی که در این مقاله به آن اشاره شده است، تنها در آزمایشگاه و کلاس درس کاربرد دارد. در صنعت و پروژه‌های کاربردی معمولاً ظرفیت خازن را از طریق کدرنگی حساب می‌کنند. برای اطلاعات بیشتر به مقاله «کد رنگی خازن -- به زبان ساده» مراجعه کنید.

ظرفیت خازن تخت

در این قسمت می‌خواهیم به رابطه ساده C=ϵAdC=\epsilon\frac{A}{d} که از دوران دبیرستان آن را حفظ هستید، از طریق فرمول C=QVC=\frac{Q}{V} برسیم. ساختار یک خازن با صفحات تخت که بین دو صفحه آن هوا است را مطابق شکل (۳) در نظر بگیرید. اولین قدم جهت استفاده از رابطه C=QVC=\frac{Q}{V}، به دست آوردن بار موجود در صفحات خازن است. یکی از راهکارهایی که اکثراً مفید واقع می‌شود، به دست آوردن مقدار بار از طریق قانون گاوس است.

ϵE.dA=q\epsilon\oint E.dA=q
(1)

خازن تخت
شکل (۳): بار خالص محصور شده در سطح گاوسی در ساختار خازن با صفحات تخت

سطح فرضی گاوسی را مطابق شکل (3) در نظر بگیرید. از آنجا که مقدار میدان الکتریکی بین صفحات خازن ثابت بوده و با جزء دیفرانسیلی انتگرال تغییری نمی‌کند، می‌توانیم آن را به بیرون از انتگرال انتقال دهیم. توجه شود که از اثرات لبه (میدان در لبه‌ها) صرف نظر می‌کنیم. مساحت سطح گاوسی را نیز با AA نمایش می‌دهیم. در نتیجه از رابطه (۱) خواهیم داشت:

ϵEdA=q\epsilon E\oint dA=q
(2)

پس مقدار بار qq ذخیره شده بر روی صفحات خازن تخت با مساحت AA به صورت زیر در می‌آید:

ϵEA=q\epsilon EA=q
(3)

از آنجا که بین دو صفحه خازن چیزی وجود ندارد، در رابطه فوق، ϵ\epsilon را ضریب گذردهی الکتریکی خلأ با مقدار ϵ0 =8.854 187 817 ×1012C2Nm2\epsilon_{0}\ =8.854\ 187\ 817\ \times 10^{-12}\frac{C^{2}}{Nm^{2}} در نظر می‌گیریم.

قدم دوم به دست آوردن اختلاف پتانسیل بین دو صفحه خازن با استفاده از رابطه معروف زیر است.

VfVf=ifE.dxV_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dx
(4)

رابطه فوق بیان می‌کند که اختلاف پتانسیل بین دو نقطه ii و ff که در میدان الکتریکی EE قرار دارند، با انتگرال خطی میدان به صورت فوق، ارتباط دارد.

از آنجا که میدان الکتریکی بین دو صفحه خازن، ثابت و مستقل از جزء دیفرانسیلی است، به راحتی آن را از انتگرال بیرون می‌آوریم. در اینجا مسیر (بازه) انتگرال، فاصله بین دو صفحه خازن از یکدیگر یعنی dd است. پس ولتاژ خازن (اختلاف پتانسیل بین دو صفحه) به صورت زیر در می‌آید:

V=VfVf=ifE.d=+E.dx=E0ddx=EdV=V_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.d=\int_{-}^{+}E.dx=E\int_{0}^{d}dx=Ed
(5)

حال که دو پارامتر qq و VV مربوط به خازن تخت را در اختیار داریم، به راحتی با استفاده از فرمول C=QVC=\frac{Q}{V}، ظرفیت خازن تخت را حساب می‌کنیم. با جای‌گذاری دو پارامتر مذکور داریم:

C=QV=ϵ0EAEd=ϵ0AdC=\frac{Q}{V}=\frac{\epsilon_{0} EA}{Ed}=\epsilon_{0}\frac{A}{d}
(6)

مثال

یک خازن با صفحات تخت بزرگ که مساحت هر صفحه آن 0.5 متر مربع است، را در نظر بگیرید. فاصله بین صفحات 4 میلی‌متر و بین آن‌‌ها هوا است. اگر این خازن را به ولتاژ 6000 ولت متصل کنیم، چه مقدار بار روی صفحات آن ذخیره می‌شود؟

ابتدا ظرفیت خازن را به شکل زیر حساب می‌کنیم. برای سادگی روند محاسبات مقدار ϵ0\epsilon_{0} را 136π×109\frac{1}{36\pi \times10^{9}} در نظر میگیریم.

C=ϵ0Ad=136π×1090.54×103=1.1nFC=\epsilon_{0}\frac{A}{d}=\frac{1}{36\pi \times10^{9}}\frac{0.5}{4 \times10^{-3}}=1.1nF

حال با استفاده از رابطه Q=CVQ=CV می‌توانیم مقدار بار ذخیره شده بر روی صفحات خازن مذکور را به دست آوریم:

Q=CV=1.1nF×6000V=6.6μCQ=CV=1.1nF\times6000V=6.6\mu C

ظرفیت خازن استوانه‌ ای

در مورد محاسبه ظرفیت خازن استوانه‌ای نیز همان راهکاری را پیش می‌گیریم که در محاسبه ظرفیت خازن تخت در بخش قبل از آن استفاده کردیم. قدم اول به دست آوردن میدان الکتریکی به وسیله قانون گاوس است. مطابق با شکل (4) یک استوانه فرضی به طول خازن را به عنوان سطح گاوسی در نظر می‌گیریم.

مساحت این سطح گاوسی برابر با 2πrL2\pi rL (مساحت استوانه) بوده که در آن rr فاصله از مرکز خازن (شعاع استوانه فرضی) است. در اینجا نیز میدان الکتریکی یکنواخت بوده و با جز دیفرانسیلی تغییر نمی‌کند. قانون گاوس را به شکل زیر می‌نویسیم:

ϵE.dA=qϵEdA=ϵE2πrL=q\epsilon\oint E.dA=q \Rightarrow \epsilon E\oint dA=\epsilon E2\pi rL=q
(1)

خازن استوانه‌ای
شکل (۴): شماتیکی از ساختار خازن استوانه‌ای. سطح گاوسی استوانه‌ای به طول خازن و شعاع rr است.

از قانون گاوس نتیجه می‌شود:

E=qϵ2πrLE=\frac{q}{\epsilon2\pi rL}
(2)

قدم دوم به دست آوردن ولتاژ خازن (اختلاف پتانسیل بین صفحات) است. باز هم از رابطه آشنای زیر برای محاسبه ولتاژ استفاده می‌کنیم. در اینجا EE را از قانون گاوس که در بالا به دست آوردیم، نوشته و انتگرال را حل می‌کنیم. دقت کنید که در اینجا بازه (مسیر) انتگرال روی مسیری است که دو صفحه استوانه داخلی و خارجی را به هم وصل می‌کند (شعاعی).

V=VfVf=ifE.dr=R1R2qϵ2πrL.dr=qϵ2πLR1R2drr=qϵ2πLLn(R2R1)V=V_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dr=\int_{R_{1}}^{R_{2}}\frac{q}{\epsilon2\pi rL}.dr=\frac{q}{\epsilon2\pi L}\int_{R_{1}}^{R_{2}}\frac{dr}{r}=\frac{q}{\epsilon2\pi L}Ln(\frac{R_{2}}{R_{1}})
(3)

با فرض اینکه محیط بین استوانه‌ داخلی و خارجی (صفحات استوانه‌ای خازن) را هوا در نظر گرفتیم، ϵ\epsilon را ضریب گذردهی الکتریکی خلأ ϵ0\epsilon_{0} فرض می‌کنیم. حال با جای‌گذاری دو پارامتر qq و VV به دست آمده در رابطه C=QVC=\frac{Q}{V}، ظرفیت خازن استوانه‌ای به طول LL با شعاع داخلی R1R_{1} و شعاع خارجی R2R_{2} به صورت زیر به دست می‌آید:

C=QV=2πϵ0LLn(R2R1)C=\frac{Q}{V}=2\pi\epsilon_{0}\frac{L}{Ln(\frac{R_{2}}{R_{1}})}
(4)

مثال

یک کابل هم‌محور از یک استوانه داخلی به شعاع R1R_{1} و یک پوسته استوانه‌ای شکل خارجی به شعاع R۲R_{۲} ساخته شده است. فضای بین دو پوسته، از هوا پر شده است. ولتاژ الکتریکی را در فاصله‌ی بین دو پوسته بر حسب فاصله شعاعی به دست آورید.

می‌دانیم که میدان الکتریکی در فاصله rr از یک توزیع بار خطی به صورت زیر است:

E=λ2πϵ0rE=\frac{\lambda}{2\pi\epsilon_{0}r}

برای به دست آوردن پتانسیل در فاصله rr، پتانسیل پوسته داخلی را V0V_{0} فرض کرده و از رابطه زیر اقدام می کنیم:

VrV0=R1rλ2πϵ0rdr=λ2πϵ0Ln(rR1)V_{r}-V_{0}=-\int_{R_{1}}^{r}\frac{\lambda}{2\pi\epsilon_{0}r}dr=-\frac{\lambda}{2\pi\epsilon_{0}}Ln(\frac{r}{R_{1}})

ظرفیت خازن کروی

به احتمال زیاد تا به اینجای مقاله، با اصول و روند محاسبه ظرفیت یک خازن آشنا شده‌اید. در اینجا هم مطابق روند دو بخش قبلی، مقدار بار یا میدان را از طریق قانون گاوس به دست‌ می‌آوریم. متناسب با ساختار خازن یک سطح کروی به شعاع r را بین دو صفحه خازن در نظر می‌گیریم. مطابق با قانون گاوس داریم:

ϵ0E.dA=qϵEdA=ϵE4πr2=q\epsilon_{0}\oint E.dA=q \Rightarrow \epsilon E\oint dA=\epsilon E4\pi r^{2}=q
(1)
E=14πϵ0qr2E=\frac{1}{4\pi\epsilon_{0}}\frac{q}{r^{2}}
(2)

خازن کروی
شکل (۵): شماتیکی از ساختار خازن کروی. سطح گاوسی کره‌‌ای بین دو کره داخلی و خارجی با شعاع rr است.

حال می‌خواهیم ولتاژ خازن را محاسبه کنیم. میدان الکتریکی E را که در بالا به دست آوردیم در رابطه زیر گذاشته و انتگرال را محاسبه می‌کنیم. در اینجا حدود انتگرال حد فاصل دو کره داخلی و خارجی است (شعاعی). یادآور می‌شویم که هدف ما به دست آوردن مقدار ولتاژ بین دو صفحه کره‌ای شکل خازن است.

V=VfVf=ifE.dr=R1R214πϵ0qr2.dr=q4πϵ0R1R2drr2=q4πϵ0(1R21R1)V=V_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dr=\int_{R_{1}}^{R_{2}}\frac{1}{4\pi\epsilon_{0}}\frac{q}{r^{2}}.dr=\frac{q}{4\pi\epsilon_{0}}\int_{R_{1}}^{R_{2}}\frac{dr}{r^{2}}=\frac{q}{4\pi\epsilon_{0}}(\frac{1}{R_{2}}-\frac{1}{R_{1}})
(3)

حال به راحتی از فرمول C=QVC=\frac{Q}{V} ظرفیت خازن را به صورت زیر محاسبه می‌کنیم:

C=4πϵ0(1R21R1)=4πϵ0R2R1R1R2C=\frac {4\pi\epsilon_{0}} {\left (\frac {1}{R_2}-\frac {1}{R_1}\right)} ={4\pi\epsilon_{0}}\frac{R_{2}R_{1}}{R_{1}-R_{2}}

(4)

ظرفیت کره ایزوله

فرض کنید یک کره رسانا به شعاع R در اختیار دارید؟ به نظر شما ظرفیت این کره چقدر است؟ منظورمان این است که چه مقدار بار می‌تواند بر روی آن قرار گیرد؟ اگر این کره را کره داخلی یک خازن کروی بسیار بزرگ (یعنی شعاع کره خارجی در بی‌نهایت است) در نظر بگیریم، از رابطه ظرفیت خازن کروی که آن را در بالا به دست آوردیم، ظرفیت این کره را به صورت زیر به دست می‌آوریم:

C=4πϵ0(1R21R1)R2C=4πϵ0R1=4πϵ0RC=\frac {4\pi\epsilon_{0}} {\left (\frac {1}{R_2}-\frac {1}{R_1}\right)} \Rightarrow R_{2}\rightarrow\infty \Rightarrow C=4\pi \epsilon _ 0 R_1 = 4\pi \epsilon _ 0 R

(5)

مثال

فرض کنید زمین یک رسانای منزوی (کُره تنها) باشد. ظرفیت چنین کره‌ای چقدر است؟ (شعاع زمین 6400 کیلومتر در نظر بگیرید)

دیدیم که ظرفیت یک رسانای کروی منزوی از رابطه زیر به دست می‌آید:

C=4πϵ0RC=4\pi\epsilon_{0}R

با جایگذاری شعاع زمین در رابطه داریم:

C=4πϵ0R=4π136π×1096400×103700μFC=4\pi\epsilon_{0}R=4\pi\frac{1}{36\pi \times10^{9}}6400\times10^{3}\approx700\mu F

مثال

دو کره رسانا به شعاع‌های xx و yy که در فاصله دوری از یکدیگر قرار دارند را به وسیله سیم نازک رسانایی به یکدیگر وصل می‌کنیم. به یکی از کره‌ها بار QQ را می‌دهیم. ظرفیت مجموعه مذکور (دو کره متصل) را به دست آورید.

از آنجایی که دو کره را به یکدیگر متصل کرده‌ایم، دو کره هم‌پتانسیل می‌شوند. در نتیجه پتانسیل مجموعه که آن را به VV نشان می‌دهیم برابر با پتانسیل هر یک از کره‌ها، به شکل زیر است:

V=q14πϵ0x=q24πϵ0yV=\frac{q_{1}}{4\pi \epsilon_{0}x}=\frac{q_{2}}{4\pi \epsilon_{0}y}

از رابطه فوق نتیجه می‌شود:

q1x=q2y\frac{q_{1}}{x}=\frac{q_{2}}{y}

از آنجایی که مقدار بار کل QQ برابر با مجموعه بارهای دو کره است (Q=q1+q2Q=q_{1}+q_{2})، داریم:

q1=(xx+y)Q , q2=(yx+y)Qq_{1}=(\frac{x}{x+y})Q \ , \ q_{2}=(\frac{y}{x+y})Q

با جایگذاری بار q1q_{1} یا q2q_{2} در رابطه VV و استفاده از رابطه C=QVC=\frac{Q}{V} داریم:

V=Q4πϵ0(x+y)C=QV=4πϵ0(x+y)V=\frac{Q}{4\pi \epsilon_{0}(x+y)}\Rightarrow C=\frac{Q}{V}=4\pi \epsilon_{0}(x+y)

ظرفیت خازن تخت با دی‌ الکتریک

در دروس فیزیک پایه، دیدیم که با قرار دادن یک دی‌الکتریک بین صفحات یک خازن می‌توانیم ظرفیت‌ خازن را افزایش دهیم. در واقع با قرار دادن دی‌الکتریک، بارهای بیشتری بر روی صفحات خازن می‌توانند قرار گیرند. در این قسمت می‌خواهیم با استفاده از قانون گاوس، ظرفیت یک خازن با صفحات تخت حاوی ماده دی‌الکتریک را به دست آوریم.

به طور خیلی خلاصه، با قرار دادن یک ماده دی‌الکتریک در بین صفحات خازن، به دلیل وجود میدان الکتریکی بین دو صفحات، دو قطبی‌هایی در داخل ماده دی‌الکتریک القا می‌شوند. می‌دانیم که بارهای مثبت در جهت میدان و بارهای منفی در خلاف جهت میدان الکتریکی می‌روند (شکل 6). این القای دو قطبی و جدایی بار باعث به وجود آمدن میدان الکتریکی داخلی در داخل ماده دی‌الکتریک می‌شود که با توجه به شکل (6) در خلاف جهت میدان اصلی (میدان بدون حضور ماده دی‌الکتریک) بوده و آن را تضعیف می‌کند.

دی الکتریک
شکل (۶): قرار دادن یک دی‌الکتریک بین صفحات یک خازن باعث القای دو قطبی‌هایی در داخل ساختار آن می‌شود.

می‌دانیم که میدان الکتریکی و ولتاژ طبق رابطه (VfVf=ifE.dxV_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dx) در ارتباط هستند. مطابق رابطه مذکور با کاهش مقدار میدان الکتریکی، مقدار ولتاژ نیز باید کاهش پیدا کند. اما از آنجا که خازن به یک ولتاژ با ظرفیت ثابت متصل است، نتیجه می‌گیریم که برای جبران میدان افت پیدا کرده، مقدار بار بیشتری بر روی صفحات خازن جمع می‌شود.

خازن با دی الکتریک
شکل (۷): شماتیکی از خازن تخت در حضور و غیاب ماده دی الکتریک

با توضحیات فوق، حال بیایید قانون گاوس را برای خازن با صفحات تخت حاوی ماده دی‌الکتریک بنویسیم. طبق شکل (7)، سطح گاوسی این‌ بار علاوه بر بار صفحه، بار حاصل از دوقطبی‌های القا شده را نیز در بر می‌گیرد. پس قانون گاوس به شکل زیر در می‌آید:

ϵE.dA=qq\epsilon\oint E.dA=q-q^{'}
(1)

در اینجا نیز میدان الکتریکی E وابستگی به جزء دیفرانسیلی نداشته و از انتگرال بیرون می‌آید. با مرتب سازی بر حسب میدان EE داریم:

E=qqϵ0AE=\frac{q-q^{'}}{\epsilon_{0} A}
(2)

مشاهده می‌شود که این میدان طبق توضیحات فوق، مقدار کمتری نسبت به میدان الکتریکی E0E_{0} (بدون ماده دی‌آلکتریک) دارد. می‌توانیم این میدان را به صورت ضریبی از میدان E0E_{0} بنویسیم. در نتیجه داریم:

E=E0k=qkϵ0AE=\frac{E_{0}}{k}=\frac{q}{k\epsilon_{0} A}
(3)

با مقایسه دو رابطه (۱) و (۳) پی می‌بریم:

qq=qkq-q^{'}=\frac{q}{k}
(4)

در نتیجه قانون گاوس به شکل زیر در می‌آید:

ϵ0kE.dA=q\epsilon_{0}\oint kE.dA=q
(5)

در اینجا می‌توان کمیت جدیدی را به نام چگالی شار الکتریکی به صورت زیر تعریف کرد:

D=ϵE=kϵ0ED=\epsilon E=k\epsilon_{0}E
(6)

از رابطه (۵) به همان ترتیب که برای خازن تخت بدون ماده دی‌الکتریک عمل کردیم، ظرفیت خازن تخت با ماده دی‌الکتریک به صورت زیر در می‌آید:

C=kϵ0AdC=k\epsilon_{0}\frac{A}{d}
(7)

مقدار kk برای هوا یا خلأ برابر با یک در نظر گفته می‌شود. رابطه فوق در واقع همان رابطه C=ϵAdC=\epsilon\frac{A}{d} بوده که در حالت کلی مقدار ϵ\epsilon را به صورت زیر تعریف می‌کنند:

ϵ=kϵ0kϵr=ϵϵ0>1\epsilon=k\epsilon_{0}\Rightarrow k \equiv\epsilon_{r}=\frac{\epsilon}{\epsilon_{0}}>1
(8)

ϵr\epsilon_{r} به گذردهی نسبی معروف است.

مثال

خازن تختی را در نظر بگیرید که فاصله بین صفحات آن ۴ میلیمتر بوده و به یک باتری 160 ولتی متصل شده است. ماده دی‌الکتریکی با k=4k=4 را بین صفحات آن، به طوری که بین صفحات را کامل پر کند، قرار می‌دهیم. میدان الکتریکی و چگالی شار الکتریکی را در دو حالت قبل و بعد از وجود ماده دی‌الکتریک به دست‌ آورید:

برای محاسبه میدان الکتریکی و چگالی شار الکتریکی قبل از قرار دادن ماده دی‌الکتریک به صورت زیر عمل می‌کنیم:

  VfVf=ifE.dxV=ExE=Vx=1604×103=40(kVm)V_{f}-V_{f}=\int_{i}^{f}E.dx \Rightarrow V=Ex \Rightarrow E=\frac{V}{x}=\frac{160}{4\times10^{-3}}=40(\frac{kV}{m})

D=ϵ0E=136π×10940=35.38×108(Cm2)D=\epsilon_{0}E=\frac{1}{36\pi \times10^{9}}40=35.38\times10^{-8}(\frac{C}{m^{2}})

پس از قرار دادن ماده دی‌الکتریک با k=4k=4، به علت القای دو قطبی و تشکیل میدانی در خلاف جهت میدان اصلی (شکل ۷)، میدان الکتریکی کاهش پیدا میکند. در نتیجه:

E=E0k=10(kVm)E=\frac{E_{0}}{k}=10(\frac{kV}{m})

D=ϵE=kϵ0E=35.38×108(Cm2)D=\epsilon E=k\epsilon_{0}E=35.38\times10^{-8}(\frac{C}{m^{2}})

ملاحظه شود که مقدار چگالی شار الکتریکی بدون تغییر می‌ماند. چرا که با افزایش ثابت دی‌الکتریک kk، میدان به همان نسبت کاهش پیدا می‌کند.

اگر این مطلب برای شما مفید بوده است، آموزش‌های زیر نیز به شما پیشنهاد می‌شوند:

بر اساس رای ۶۱ نفر
آیا این مطلب برای شما مفید بود؟
اگر بازخوردی درباره این مطلب دارید یا پرسشی دارید که بدون پاسخ مانده است، آن را از طریق بخش نظرات مطرح کنید.
منابع:
Phys.Libretextsمجله فرادرس
۱۶ دیدگاه برای «ظرفیت خازن — یادگیری با مثال»

در فرمول نهایی خازن کروی می بایست. R1-R2 شود

سلام.
متن بازبینی و اصلاح شد.
سپاس از همراهی و بازخوردتان.

سلام در صورتیکه تعدادی خازن با ظرفیت 2 فاراد داشته باشیم با سری و موازی کردن خازن به دلخواه چگونه خازنی با ظرفیت 10/75 بدست بیاوریم

سلام، چرا اگر خازن با ظرفیت کمتری انتخاب کنیم، سرعت نوسان بیشتر میشود؟ طبق چه فرمولی میتونم این ارتباط را درک کنم؟

با سلام،
به این نکته توجه داشته باشید که ظرفیت خازن به‌ تنهایی رفتار نوسانی آن را تعیین نمی‌کند. در حقیقت مشخصات نوسانی مدار به تمام اجزای تشکیل‌دهنده آن، مانند مقدار ظرفیت، القاگر، مقاومت و شرایط اولیه، بستگی دارد.
در مدارهای نوسانی، مانند LC (القاگر و خازن) و RLC (مقاومت-القاگر-خازن)‌ یا حتی مدارهای پیچیده‌تر، خازن به هنگام ترکیب با اجزای دیگر مدارد، مقدار فرکانس نوسان در مدار را تعیین می‌کند.
با تشکر از همراهی شما با مجله فرادرس

سلام
با ۱۶ تا خازن
۴ تا رو با هم سری میکنیم
از اینا کلا ۴ تا ایجاد می کنیم که میشه ۱۶ تا خازن
سر و ته هر ۴ تایی رو با هم موازی می کنیم
پاسخ قبلی ام بجای سری گفته بود موازی که اصلاح می کنم

سلام در معادله 4 برای خازن کروی فکر میکنم به جای q باید 1 بزارید چون چنین فرمولی هم معنی ندارد و ما بر حسب فواصل و ضرایب نتیجه را می خواهیم و لذا فرمول مثال کره ایزوله و ظرفیت خازنی کره زمین هم باید تصحیح شود. با تشکر

با ۱۶ تا خازن
۴ تا خازن ۲ فارادی باهم موازی می کنیم . از اینا ۴ تا درست می کنیم .
سر های اینا رو بهم متصل می کنیم و تهشون هم بهم
میشه ی خازن ۱۰/۷۵ فارادی.

سلام.
اصلاحات لازم انجام شد.
از همراهی و بازخورد شما سپاسگزاریم.

اگر دی الکتریک شمابصورت عمود بر صفحات قرار گیرد ظرفیت هر یک از قسمت ها ی خازن ها را محاسبه میکنیم و در نهایت برای محاسبه ظرفیت کل تمامی خازن ها موازی هستند برای خازنی که دی الکتریک ها به موازات صفحات خازن هستند همه را تک تک محاسبه میکنیم در نهایت چون سری هستند از رابطه ظرفیت معادل برای خاازن های سری استفاده میکنیم.
در فیزیک هالیدی مسیله های مشابه زیادی هست

ازخواندن این مقاله بسیارلذت بردم ممنون مولف عزیز

۰ سلام. سوالی داشتم از حضورتان.
اگر من یک خازن تخت با دی الکتریک گازی داشته باشم( تمام ایمنیهای ولتاژ بالا را رعایت کرده باشم).مثلا ظرفیت صد میکروفاراد.سپس ۱۰۰ ولت شارژش کنم. و در حالت شارژ من دی الکتریک گازی را بسرعت خارج کنم.و هوای معمولی جایگزینش شود. طبیعتا ظرفیت خازن کاهش پیدا میکنم. مثلا اگر به صد نانوفاراد کاهش پیداکند. آیا ولتاژ صد ولتی شارژ شده در خازن به همان اندازه زیاد میشود؟ طبق فرمول باید ولتاژ به صد کیلو ولت تبدیل شود. نظرات شما چیست؟

با سلام خدمت شما مهندس عزیز برای علامتی که روی خازن قرار داره میخام بدونم چی خونده میشه uf یا nfاین نانو فاراد خونده میشه ولی ufچی خونده میشه تشکر از شما مهندس عزیز ودوست داشتنی

سلام.
واحد uF میکروفاراد را نشان می‌دهد.
سالم و سربلند باشید.

سلام.اگه خازن ما چند تا دی الکتریک داشته باشه مثلا دو دی الکتریک به صورت موازی و عمود بر صفحات خازن باشن،چجوری میشه ظرفیت خازنو محاسبه کرد؟؟

به صورت دو خازن موازی که هرکدام دارای مشخصات خود (مثل سطح صفحات و دی الکتریک) هستند در نظر می گیریم و ظرفیت معادل را بدست می آوریم

نظر شما چیست؟

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *